Name: IPP65R110CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Price: 6.792 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP65R110CFDAAKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R110CFDAAKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP65R110CFDAAKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 12,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3240 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	277,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP65R110

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,66000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,79200

IPP65R110CFDAAKSA1