
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R199CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R199CPXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 660µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 139W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 199mOhm bei 9,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1 432 | FCP190N60EOS-ND | € 4,32000 | Ähnlich |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,74000 | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 719 | IRF830APBF-ND | € 2,63000 | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | € 3,40000 | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | € 2,58000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,80000 | € 3,80 |
| 50 | € 1,94360 | € 97,18 |
| 100 | € 1,76360 | € 176,36 |
| 500 | € 1,44832 | € 724,16 |
| 1 000 | € 1,34706 | € 1.347,06 |
| 2 000 | € 1,26196 | € 2.523,92 |
| 5 000 | € 1,22226 | € 6.111,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,80000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,56000 |

