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IPP12CN10LGXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP12CN10LGXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP12CN10LGXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 69 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP12CN10LGXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 83µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5600 pF @ 50 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 69A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | 977 | 448-IPP129N10NF2SAKMA1-ND | € 1,75000 | Vom Hersteller empfohlen |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1 128 | 296-38676-5-ND | € 1,85000 | Ähnlich |
| FDP100N10 | onsemi | 467 | FDP100N10-ND | € 3,80000 | Ähnlich |
| FDP120N10 | onsemi | 775 | FDP120N10-ND | € 2,80000 | Ähnlich |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | € 2,90000 | Ähnlich |















