FDP150N10 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,79982
Datenblatt

Ähnlich


Texas Instruments
Vorrätig: 1 128
Stückpreis : € 1,85000
Datenblatt

Ähnlich


Sanken Electric USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,58867
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,71824
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,63276
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 816
Stückpreis : € 1,66000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,54415
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,27974
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,86318
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,93616
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,80836
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,62330
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,41498
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,22152
Datenblatt
N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDP150N10

DigiKey-Teilenr.
FDP150N10-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP150N10
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDP150N10 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15mOhm bei 49A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4760 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,90000€ 2,90
50€ 1,45600€ 72,80
100€ 1,31620€ 131,62
500€ 1,07090€ 535,45
1 000€ 0,99211€ 992,11
2 000€ 0,92735€ 1.854,70
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,90000
Stückpreis mit MwSt.:€ 3,48000