Name: IPD60R360P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R360P7ATMA1TR-ND
Price: 1.824 EUR
Availability: InStock

IPD60R360P7ATMA1
cms-digikey-product-number	IPD60R360P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R360P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R360P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPD60R360P7ATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
cms-standard-lead-time	26 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 41W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	IPD60R360P7ATMA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 140µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	555 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD60R

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,52000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,82400

IPD60R360P7ATMA1