Name: IPB60R120P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R120P7ATMA1TR-ND
Price: 4.224 EUR
Availability: InStock

IPB60R120P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB60R120P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB60R120P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB60R120P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB60R120P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 26 A (Tc) 95W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB60R120P7ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 8,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 410µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1544 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	95W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB60R120

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,52000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,22400

IPB60R120P7ATMA1