Name: IPB70N10S3L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
Price: 3.72 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2

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IPB70N10S3L12ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB70N10S3L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB70N10S3L12ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5550 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,8mOhm bei 70A, 10V	Basis-Produktnummer IPB70N10
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 83µA

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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