IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPB22N03S4L15ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB22N03S4L15ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 22 A (Tc) 31W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±16V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 980 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,6mOhm bei 22A, 10V	Basis-Produktnummer IPB22N03
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 10µA