Name: IPB051N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB051N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 3.816 EUR
Availability: InStock

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IPB051N15NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB051N15NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB051N15NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB051N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB051N15NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 18A (Ta), 139A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB051N15NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8mOhm bei 58A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 131µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 64 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4700 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 234W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18A (Ta), 139A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 15V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB