N-Kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZC120R078M2HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 28 A (Tc) 143W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZC120R078M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Category
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
78mOhm bei 9A, 18V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 2,8mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
143W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-17
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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120€ 3,76967€ 452,36
510€ 3,25537€ 1.660,24
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