Name: IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Price: 41.424 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 201A (Tc) 711W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17

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IMZC120R007M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZC120R007M2HXKSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 201A (Tc) 711W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,5mOhm bei 93A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 29,1mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 176 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6570 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 711W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 201A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-17
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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1	€ 34,52000	€ 34,52
30	€ 22,94967	€ 688,49
120	€ 21,55050	€ 2.586,06

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