Name: AIMZH120R010M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R010M1TXKSA1-ND
Price: 34.224 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 202 A (Tc) 750W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-11

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AIMZH120R010M1TXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMZH120R010M1TXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMZH120R010M1TXKSA1
Beschreibung	SIC_DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 202 A (Tc) 750W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-11
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178 nC @ 20 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) +23V, -5V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5703 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 750W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 202 A (Tc)	Montagetyp Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-11
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,3mOhm bei 93A, 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 30mA

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 28,52000	€ 28,52
30	€ 18,66267	€ 559,88
120	€ 17,17800	€ 2.061,36

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