Name: G080P06T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G080P06T-ND
Price: 0.80014 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 195 A (Tc) 294W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G080P06T
DigiKey-Teilenr.	4822-G080P06T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G080P06T
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 195 A (Tc) 294W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	195 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Vgs (Max.)	±20V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	294W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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