Name: G080P06T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06T-ND
Price: 2.724 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 60 V 195 A (Tc) 294W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G080P06T
DigiKey-Teilenr.	3141-G080P06T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G080P06T
Beschreibung	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 195 A (Tc) 294W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	195 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14692 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	294W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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500	€ 0,80780	€ 403,90
1 000	€ 0,74452	€ 744,52
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