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FCP190N60-GF102 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCP190N60-GF102-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCP190N60-GF102 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCP190N60-GF102 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 74 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2950 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 199mOhm bei 10A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| NTP185N60S5H | onsemi | 760 | 488-NTP185N60S5H-ND | € 3,70000 | Vom Hersteller empfohlen |
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 9 520 | IPP60R180P7XKSA1-ND | € 2,65000 | Ähnlich |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | € 4,49000 | Ähnlich |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | € 1,76563 | Ähnlich |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | € 4,51000 | Ähnlich |







