Name: DMN31D5UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN31D5UFZ-7BDITR-ND
Price: 0.564 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN31D5UFZ-7B
DigiKey-Teilenr.	DMN31D5UFZ-7BDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN31D5UFZ-7BDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN31D5UFZ-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN31D5UFZ-7B
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN0606-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0.35 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 22.2 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 393mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 220mA (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN0606-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,2V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 100mA, 4,5V	Basis-Produktnummer DMN31

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 5 690

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Standardverpackung des Herstellers

Gurtabschnitt (CT)

Digi-Reel®