Name: DMN31D4UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND
Price: 0.228 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN31D4UFZ-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN31D4UFZ-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN31D4UFZ-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN31D4UFZ-7B
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN0606-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15.4 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 310mA (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN0606-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 100mA, 4,5V	Basis-Produktnummer DMN31

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 17 722

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)