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N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
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AOW4S60

DigiKey-Teilenr.
AOW4S60-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AOW4S60
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,1V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
263 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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