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N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
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AOTF10N65

DigiKey-Teilenr.
AOTF10N65-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOTF10N65
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1645 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
AOTF10
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