Name: TK5A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK5A65WS5X-ND
Price: 2.16 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 650 V 5,2 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK5A65W,S5X
DigiKey-Teilenr.	TK5A65WS5X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK5A65W,S5X
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 5,2 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK5A65W,S5X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 2,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 170µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK5A65

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500	€ 0,61930	€ 309,65
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