Leistungs-MOSFETs der Serie STripFET F7

Die Niederspannungs-MOSFETs der STripFET-Serie F7 von ST bieten eine verbesserte Trench-Gate-Struktur, die für ein schnelleres und effizienteres Schalten den Durchlasswiderstand der Komponente bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung senkt. Ihr hervorragender Gütefaktor (FoM) und die hohe Avalanche-Robustheit helfen bei der Vereinfachung des Designs und der Reduzierung der Bauteilgröße und -kosten bei gleichzeitiger Erhöhung der Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Telekommunikation oder Computersystemen, Solar-Wechselrichter, Industrieautomatisierung und Automobilbau.

Im Vergleich zu den vorherigen STripFET F4- und F3-Serien bietet die neue F7-Serie im EIN-Zustand einen viel geringeren Widerstand pro Chipfläche. Dies vereinfacht wiederum die Anforderungen bei der Entwicklung von Hochleistungsdesigns durch die Reduzierung der Anzahl von parallel geschalteten Geräten.

80 V STripFET-F7-MOSFETs in H2PAK für Hochstrom-Motorsteuerungen mit 1,7 mΩ Betriebswiderstand und bis zu 200 A Strombelastbarkeit.

Erhöhen Sie die Effizienz Ihrer nächsten Hochstrom-Motorsteuerung mit STs neuesten 80 V STripFET-F7-MOSFETs im 2- und 6-poligen H2PAK-Gehäuse mit geringem thermischen Widerstand für hohe Ströme (bis zu 200 A). Sie vereinen einen sehr geringen Betriebswiderstand (1,7 mΩ) mit einem optimierten Schaltverhalten für strenge Effizienzanforderungen, eine hervorragende EMI-Performance und hohe Avalanche-Robustheit für robuste Designs (STH270N8F7-2 und STH270N8F7-6).

Merkmale und Vorteile

• Einer der niedrigsten R_DS(ON) auf dem Markt
• Minimales R_DS(ON) x Q_g für höhere Systemeffizienz und kompaktere Designs
• Niedrigstes Verhältnis von C_Rss zu C_Iss für EMI-Immunität
• Hohe Avalanche-Robustheit