N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP100N6F7

DigiKey-Teilenr.
497-15888-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP100N6F7
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
STP100N6F7 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ F7
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1980 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP100
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