Hybrid-IGBT der Serie RGWxx65C mit integrierter SiC-Diode

Die Serie RGWxx65C verwendet die verlustarmen SiC-Schottky-Sperrschichtdioden von ROHM im Rückkopplungsblock des IGBTs als Freilaufdiode, die fast keine Erholungsenergie und somit nur minimale Diodenschaltverluste aufweist. Da der Erholungsstrom im Einschaltmodus nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, ist der Einschaltverlust des IGBT im Vergleich zu den in herkömmlichen IGBTs verwendeten sich schnell erholenden Siliziumdioden erheblich geringer. Beide Effekte zusammen führen zu einem um bis zu 67 % geringeren Verlust im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs und zu einem um 24 % geringeren Verlust im Vergleich zu Super-Junction-MOSFETs (SJ-MOSFETs) bei der Verwendung in Fahrzeugladegeräten. Dieser Effekt sorgt für ein gutes Kosten-Nutzen-Verhältnis und trägt gleichzeitig zu einem geringeren Stromverbrauch in Industrie- und Automobilanwendungen bei.

Merkmale

Reduzierung des Verlusts um 67 % im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs und optimales Kosten-Nutzen-Verhältnis für gängige elektrische Steuergeräte in Automobilbranche und in Industrieanlagen