IGBT 650 V 64 A 178 W Durchkontaktierung TO-247N
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RGW60TS65CHRC11

DigiKey-Teilenr.
846-RGW60TS65CHRC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGW60TS65CHRC11
Beschreibung
IGBT 650V 64A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 64 A 178 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
64 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
1,9V bei 15V, 30A
Leistung - Max.
178 W
Schaltenergie
70µJ (Ein), 220µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
84 nC
Td (on/off) bei 25°C
37ns/91ns
Testbedingung
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
34 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Basis-Produktnummer
RGW60
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