Die Feldstopp-(FS)-IGBT-Technologie von 
ON Semiconductor ermöglicht Designern die Entwicklung hochzuverlässiger Systeme mit höherer Eingangsspannung und bieten optimale Performance, wo niedrige Leitungs- und Schaltverluste absolut wichtig sind. Die IGBTs verfügen über hohe Strombelastbarkeit, positive Temperaturkoeffizienten, enge Parameterverteilung und weiten sicheren Arbeitsbereich. Die höhere Durchbruchspannung verbessert die Zuverlässigkeit bei negativen Umgebungstemperaturen. Wenn die Temperatur sinkt, nimmt auch die IGBT- und FRD- Sperrspannung ab, wodurch sich die Bausteine besonders vorteilhaft für in kälteren Zonen verwendete PV-Solarwechselrichter eignen. Da eine sorgfältige Auswahl der IGBTs und Freilaufdioden für maximale Effizienz entscheidend ist, bieten die IGBTs von ON Semiconductor schnelle und sanfte Wiederherstellung, was die Verlustleistung reduziert und niedrige Ein- und Ausschaltverluste erzielt.
Die ON Semiconductor FS-Technologie erzielt beste Leistungen ohne Einbußen bei Zuverlässigkeit und Robustheit und ist der ständigen Weiterentwicklung der IGBT-Performance verpflichtet. Unsere Technologie-Entwicklung der vierten Generation ermöglicht hervorragende Trade-off-Eigenschaften und dynamische Latch-up-Stabilität, besser, als bei jedem anderen FS-IGBT.
Weißbuch - Detaillierte Analysen- und Performance-Ergebnisse
| Merkmale |
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- Maximale Sperrschichttemperatur: Tj = 175 °C
- Positiver Temperaturkoeffizient für leichten Parallelbetrieb
- 100 % der Teile im Hinblick auf ILM(1) getestet
- Niedrige Sättigungsspannung:
VCE(sat) = 1,8 V (typisch) @ IC = 30 A, 40 A, 60 A
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- Hohe Eingangsimpedanz
- Schnelles Schalten
- Enge Parameterverteilung
- RoHS-konform
- Hohe Strombelastbarkeit
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| Anwendungen |
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- Schweißgeräte und industrielle Anwendungen, Leistungsfaktorkorrektur
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ON Semiconductor ermöglicht Designern die Entwicklung hochzuverlässiger Systeme mit höherer Eingangsspannung und bieten optimale Performance, wo niedrige Leitungs- und Schaltverluste absolut wichtig sind. Die IGBTs verfügen über hohe Strombelastbarkeit, positive Temperaturkoeffizienten, enge Parameterverteilung und weiten sicheren Arbeitsbereich. Die höhere Durchbruchspannung verbessert die Zuverlässigkeit bei negativen Umgebungstemperaturen. Wenn die Temperatur sinkt, nimmt auch die IGBT- und FRD- Sperrspannung ab, wodurch sich die Bausteine besonders vorteilhaft für in kälteren Zonen verwendete PV-Solarwechselrichter eignen. Da eine sorgfältige Auswahl der IGBTs und Freilaufdioden für maximale Effizienz entscheidend ist, bieten die IGBTs von ON Semiconductor schnelle und sanfte Wiederherstellung, was die Verlustleistung reduziert und niedrige Ein- und Ausschaltverluste erzielt. 
