FGA30N120FTDTU onsemi | Einzelne IGBTs

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Stückpreis : € 14,36407

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGA30N120FTDTU
DigiKey-Teilenr.	FGA30N120FTDTU-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGA30N120FTDTU
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-3PN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 60 A 339 W Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Leistung - Max. 339 W
Hersteller onsemi	Eingangstyp Standard
Verpackung Stange	Gate-Ladung 208 nC
Status der Komponente Obsolet	Umkehrerholungszeit (trr) 730 ns
IGBT-Typ Trench Feldstopp	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60 A	Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 90 A	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3PN
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2V bei 15V, 30A	Basis-Produktnummer FGA30N120