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NTF2955T1G P-Kanal 60V 1,7 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223
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  • Digi-Reel®  : NTF2955T1GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

NTF2955T1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer NTF2955T1GOSCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer NTF2955T1G
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Beschreibung MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 60V 1,7 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter NTF2955,NVF2955
RoHS-Informationen Material Declaration NTF2955T1G
PCN-Design/Spezifikation Datasheet MSL Updated 2/April/2007
PCN-Montage/Herkunft Bond Wire 13/Nov/2020
PCN-Verpackung Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
HTML-Datenblatt NTF2955,NVF2955
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 185mOhm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14,3nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 492pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223
Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Basis der Teilenummer NTF295
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen NTF2955T1G-ND
NTF2955T1GOSCT