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FDMC4435BZ P-Kanal 30V 8,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3,3x3,3)
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDMC4435BZTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3 000
  • Verfügbare Menge: 27 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,25439 €
  • Digi-Reel®  : FDMC4435BZDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 29 602 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDMC4435BZ

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDMC4435BZCT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer FDMC4435BZ
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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33
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Standardlieferzeit des Herstellers 23 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 8,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-MLP (3,3x3,3)

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Dokumente & Medien
Datenblätter FDMC4435BZ
RoHS-Informationen Material Declaration FDMC4435BZ
PCN-Design/Spezifikation Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,5 A (Ta), 18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2045pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,3W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-MLP (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Basis der Teilenummer FDMC44
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDMC4435BZCT