IRF7314TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7314TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7314PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7314PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7314PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7314TRPBF
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 5,3A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7314TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	58mOhm bei 2,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	700mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	780pF bei 15V
Leistung - Max.	2W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Basis-Produktnummer	IRF731

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	IRF7314PbF
Sonstige zugehörige Dokumente	IR Part Numbering System
Produktschulungsmodule	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Empfohlenes Produkt	Data Processing Systems
PCN Veralterung/EOL	EOL 31/Jul/2024
PCN Design/Spezifikation	Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023
PCN Verpackung	Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN Sonstiges	Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022
EDA-Modelle	IRF7314TRPBF Modelle