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BSC150N03LDGATMA1 MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 8A 26W Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4
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10 0,58100 5,81 €
25 0,54600 13,65 €
100 0,39620 39,62 €
500 0,33108 165,54 €
1 000 0,28177 281,77 €
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSC150N03LDGATMA1TR-ND
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  • Verfügbare Menge: 10 000 - Sofort
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  • Digi-Reel®  : BSC150N03LDGATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 17 130 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC150N03LDGATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC150N03LDGATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSC150N03LDGATMA1
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 8A 26W Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSC150N03LD G
BSC150N03LD G
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTML-Datenblatt BSC150N03LD G
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13,2nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100pF bei 15V
Leistung - Max. 26W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-4
Basis der Teilenummer BSC150N03
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD GCT-ND
BSC150N03LDGATMA1CT