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10 3,57400 €35,74
100 2,92810 €292,81
500 2,49270 €1.246,35
1 000 2,10228 €2.102,28

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1079-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 105 000 - Sofort
  • Stückpreis: €2,04768
  • Digi-Reel®  : 917-1079-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 105 078 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2001C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1079-1-ND
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Hersteller

EPC

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Hersteller-Teilenummer EPC2001C
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Beschreibung GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 36 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (11 Lötstreifen)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2001C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
RoHS-Informationen EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
Referenzdesign-Bibliothek EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN-Design/Spezifikation Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site 25/Jun/2021
HTML-Datenblatt EPC2001C
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 36 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7mOhm bei 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 900pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (11 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
Basis der Teilenummer EPC2001
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

EPC9126HC

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Standardpaket 1
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