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Navitas Semiconductor
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650-V-GaNFast™-Leistungs-IC im Einzelchipdesign
Die GaNFast™-Leistungs-IC von Navitas bilden einen benutzerfreundlichen Hochfrequenz-Treiberstrang mit Digitaleingang und Leistungsausgang.
NV6115 650-V-Single GaNFast™-Leistungs-IC (170 mΩ)
Die NV6115-ICs von Navitas erweitern die Fähigkeiten traditioneller Topologien wie Flyback, Halbbrücke, Resonanz und mehr.
Monolithischer 650-V-GaNFast™-Leistungs-IC NV6117 (120 mΩ)
Der GaNFast-Leistungs-IC NV6117 von Navitas erweitert die Fähigkeiten herkömmlicher Topologien und nutzt die GaN-Technologie, um zuverlässige, bahnbrechende Designs zu ermöglichen.
Monolithischer 650-V-GaNFast™-Leistungs-IC NV6113 (300 mΩ)
Der 650-V-GaNFast-Leistungs-IC NV6113 von Navitas ist für Hochfrequenz-Weichschalt-Topologien optimiert.
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Über Navitas Semiconductor
Navitas Semiconductor Ltd. ist das weltweit erste und einzige Unternehmen für GaN-Leistungs-ICs, das 2014 gegründet wurde. Navitas verfügt über ein starkes und wachsendes Team von Experten für die Leistungshalbleiterindustrie mit zusammen 300-jähriger Erfahrung in den Bereichen Materialien, Geräte, Anwendungen, Systeme und Marketing. Darüber hinaus verfügt Navitas über mehr als 300 Patente unter den Gründern. GaN-Leistungs-ICs integrieren GaN-Leistung (FET) mit Betriebs-, Steuer- und Schutzfunktionen, um eine dreifach schnellere Aufladung, eine höhere Leistungsdichte und größere Energieeinsparungen für Mobilfunk, Verbraucher, Unternehmen, eMobilität und neue Energiemärkte zu ermöglichen. Über 100 Navitas-Patente sind erteilt oder anhängig, und über 8 Millionen GaNFast-Power-ICs wurden ausfallfrei ausgeliefert.
Weitere Informationen
PRÄSENTATIONEN
- 650V-GaNFast-Halbbrücken-IC für AC/DC-Wandleranwendungen
- ACF (Active Clamp Flyback) mit GaN-Leistungs-IC
- Fortschritte bei der Systemintegration von GaN-Leistungs-ICs
- Fortschritte bei GaN-Leistungs-ICs: Effizienz, Zuverlässigkeit und Autonomie
- Mit GaN-Leistungs-ICs Geschwindigkeitsgrenzen durchbrechen
- Delivering Performance, Let’s Go GaNFast™
- Streben nach Energieversorgungslösungen ohne Schaltverluste
- GaNFast Power ICs: Electrify Our World™
- GaN-Adoption, Markt für Markt
- GaN-AC/DC-Wandler hoher Leistungsdichte für 300 W
- GaN-ICs ermöglichen ACF der nächsten Generation für Adapter/Ladegeräte-Anwendungen
- GaN-Leistungs-IC-Adoption startet im Schnelllade-Markt
- Technologie der GaN-Leistungs-ICs
- GaN-Leistungs-ICs
- GaN-Leistungs-ICs bei über 1 MHz
- GaN-Zuverlässigkeit durch Integration und anwendungsrelevante Stresstests
- GaN-Halbbrücken-ICs ermöglichen die nächste Generation von Ladegerät-Topologien mit mittlerer Leistung, mehreren Ports und hoher Packungsdichte
- Nur-GaN-Netzteildesign für hohe Frequenzen und hohe Leistungsdichte
- Studie zu induktiven Bauelementen ermöglicht neue Klasse von AC/DC-Wandlern hoher Leistungsdichte
- Einstufiges 6,78-MHz-Leistungsverstärkerdesign
- Modernes mobiles Aufladen
- Vorteile von GaN-Leistungs-ICs für die Systemintegration
- Der Branchenführer bei GaN-Leistungs-ICs
- Willkommen in der Welt nach dem Silizium
ANWENDUNGSHINWEISE
ARTIKEL
- APEC 2019 im Fokus
- Bodo's Power Systems
- GaN reift für die Industrie mit monolithischen Leistungs-ICs
- GaN-Technologie ermöglicht schnelle elektrische Ladesysteme
- GaN-Halbbrücken-Leistungs-ICs: Performance und Anwendung
- Interview mit den CEOs von Power Integrations, Navitas und GaN Systems
- Machen Sie es sich leicht, mit GaN-Leistungs-ICs
- Eindrücke von der APEC 2019
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