Name: XP4N2R1MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4N2R1MTTR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

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XP4N2R1MT
DigiKey-Teilenr.	5048-XP4N2R1MTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5048-XP4N2R1MTCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5048-XP4N2R1MTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer	XP4N2R1MT
Beschreibung	FET N-CH 40V 37.5A 170A PMPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 37,5A (Ta), 170A (Tc) 5W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-PMPAK (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,1mOhm bei 20A, 10V
Herst. YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Serie XP4N2R1	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 154 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9056 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 37,5A (Ta), 170A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PMPAK (5x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerLDFN

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XP4N2R1MT