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C3M0120065K ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
Direkter Ersatz
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
C3M0120065K | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1697-C3M0120065K-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | C3M0120065K |
Beschreibung | 650V 120M SIC MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 98W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | C3M0120065K Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 157mOhm bei 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,6V bei 1,86mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 28 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +19V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 640 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 98W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-4L | |
Gehäuse / Hülle |
Obsolet
