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Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220AC
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Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220AC
TO-220-2

NXPLQSC10650Q

DigiKey-Teilenr.
1740-1223-ND
Hersteller
WeEn Semiconductors
Hersteller-Teilenummer
NXPLQSC10650Q
Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220AC
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
WeEn Semiconductors
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.85 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
230 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
250pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
NXPLQSC
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