Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 5.136 EUR
Availability: InStock

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SUP60030E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SUP60030E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUP60030E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SUP60030E-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 141 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7910 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUP60030
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,4mOhm bei 30A, 10V

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SUP60030E-GE3