Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 2.412 EUR
Availability: InStock

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SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKey-Teilenr.	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUD50N04-8M8P-4GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 14 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2400 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Ta), 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUD50
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,8mOhm bei 20A, 10V