Name: SUD09P10-195-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD09P10-195-GE3TR-ND
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

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SUD09P10-195-GE3
DigiKey-Teilenr.	SUD09P10-195-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUD09P10-195-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	63 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 8,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 34.8 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1055 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUD09
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 195mOhm bei 3,6A, 10V