N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 625W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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SQW61N65EF-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SQW61N65EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SQW61N65EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 625W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SQW61N65EF-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
344 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±30V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7379 pF @ 100 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ
Klasse
Automobiltechnik
Technologie
Qualifizierung
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 32A, 10V
Gehäuse / Hülle
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 12,51000€ 12,51
30€ 7,60733€ 228,22
120€ 6,53292€ 783,95
510€ 5,93071€ 3.024,66
Standardverpackung des Herstellers
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