Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.704 EUR
Availability: InStock

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SQS481ENW-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQS481ENW-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 4,7 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQS481ENW-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 385 pF @ 75 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,7 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,095Ohm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer SQS481
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA