Name: SQJQ186E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ186E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.056 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJQ186E-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJQ186E-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJQ186E-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJQ186E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJQ186E-T1_GE3
Beschreibung	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 245 A (Tc) 357W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJQ186E-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 185 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10552 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 245 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer SQJQ186
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA