
SQJ992EP-T2_GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | 742-SQJ992EP-T2_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ992EP-T2_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ992EP-T2_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SQJ992EP-T2_GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 60V 15 A (Tc) 34W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SQJ992EP-T2_GE3 Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12nC bei 10V |
Hersteller Vishay Siliconix | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 446pF bei 30V |
Serie | Leistung - Max. 34W (Tc) |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Status der Komponente Aktiv | Klasse Automobiltechnik |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Qualifizierung AEC-Q101 |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V | Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15 A (Tc) | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 56,2mOhm bei 3,7A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,34000 | € 1,34 |
| 10 | € 0,85100 | € 8,51 |
| 100 | € 0,56540 | € 56,54 |
| 500 | € 0,44312 | € 221,56 |
| 1 000 | € 0,40375 | € 403,75 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,35376 | € 1.061,28 |
| 6 000 | € 0,32860 | € 1.971,60 |
| 9 000 | € 0,31578 | € 2.842,02 |
| 15 000 | € 0,30139 | € 4.520,85 |
| 21 000 | € 0,29449 | € 6.184,29 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,34000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,60800 |


