SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Direkter Ersatz

Vishay Siliconix

Vorrätig: 591

Stückpreis : € 1,36000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQJ912AEP-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQJ912AEP-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ912AEP-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 30A 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ912AEP-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,3mOhm bei 9,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	38nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1835pF bei 20V
Leistung - Max.	48W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SQJ912