Name: SQJ418EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ418EP-T1_BE3TR-ND
Price: 1.872 EUR
Availability: InStock

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SQJ418EP-T1_BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQJ418EP-T1_BE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQJ418EP-T1_BE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQJ418EP-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQJ418EP-T1_BE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 48 A (Tc) 68W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQJ418EP-T1_BE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1700 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 48 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14mOhm bei 10A, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8