Name: SQD90P04-9M4L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQD90P04-9M4L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQD90P04-9M4L_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 90 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQD90P04-9M4L_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 155 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6675 pF @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,4mOhm bei 17A, 10V	Basis-Produktnummer SQD90
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA