Name: SQD19P06-60L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD19P06-60L_GE3TR-ND
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

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SQD19P06-60L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQD19P06-60L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQD19P06-60L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQD19P06-60L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQD19P06-60L_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 20 A (Tc) 46W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQD19P06-60L_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1490 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 55mOhm bei 19A, 10V	Basis-Produktnummer SQD19
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA