Name: SQ2364EES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2364EES-T1_GE3TR-ND
Price: 1.116 EUR
Availability: InStock

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SQ2364EES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ2364EES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQ2364EES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQ2364EES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2364EES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 2 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±8V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 240mOhm bei 2A, 4,5V	Basis-Produktnummer SQ2364
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA

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