Name: SQ2351CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2351CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.684 EUR
Availability: InStock

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SQ2351CES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ2351CES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2351CES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2351CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2351CES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3,2 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ2351CES-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 115mOhm bei 2,4A, 4,5V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)