SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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SQ2361EES-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ2361EES-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2361EES-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 2,5 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ2361EES-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 545 pF @ 30 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Verlustleistung (max.) 2W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 2,4A, 10V	Basis-Produktnummer SQ2361
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA