Name: SIZF660LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.24829 EUR
Availability: OutOfStock

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SIZF660LDT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZF660LDT-T1-GE3
Beschreibung	SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 28A (Ta), 110A (Tc) 4,2W (Ta), 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAIR® 6 x 5FS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6mOhm bei 10A, 10V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 85nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4315pF bei 30V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 4,2W (Ta), 62,5W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle 8-WDFN mit freiliegendem Pad
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 28A (Ta), 110A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAIR® 6 x 5FS

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)